三星电子新工厂的概要正在公开。从本月底开始，将开始为今年下半年完成的前期工作，包括投入基础设施设备。

据业内人士8日消息，三星电子最早将于3月开始为京畿道平泽市第三工厂（ P3 ）订购NAND闪存制造设备。预计最迟5月完成。P3建筑许可面积70万平方米（m2），长700米（m），25个足球场大小。它是平泽第二工厂（P2）的1.5倍，相当于16个足球场，是世界上最大的单体工厂。

P3是一个综合生产基地，同时运营存储器和半导体代工生产（代工）线。建设顺序是NAND闪存-DRAM-代工。

一位半导体行业负责人表示，“我们将从最紧迫的NAND开始建设，DRAM和代工厂将几乎同时开始。”

目前，三星电子正在准备一条176层垂直结构 (V) NAND 线。该产品是自去年以来在P2生产的最先进的 NAND 。三星电子首次推出“双叠”方式，分两批叠放。

7日，与专业洁净室公司Shinsung ENG签约，奠基工作正式开始。去除有害气体的洗涤器和控制温度的冷水机已经在生产中，将从本月底开始引进。

预计将在6 月或 7 月订购 DRAM 生产线的工艺设备。应用极紫外 ( EUV ) 曝光技术的14纳米 ( nm ) DRAM 等将量产。预计将在类似时间下达将生产基于EUV的3nm系统半导体的代工线的设备订单。

最初的NAND线是每月10,000张（10K) 级别提供。返还后，将进行额外的设施投资。据说每个产品的最终生产能力（capa）尚未确定。

与此同时，三星电子正在投资平泽4号工厂（P4）基础设施，美国德克萨斯州泰勒的代工厂将于今年上半年开始建设。下半年，还将进行设施投资以填补P2的剩余空间。

另一位业内人士解释说，“今年下半年投资会比去年更加积极。”